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晶阳机电申请一种晶体生长炉专利,提高拉晶速度并减小多圈硅芯产品的直径差

信息来源:nicsbuy.com   时间: 2024-11-26  浏览次数:358


本文源自:金融界

金融界 2024 年 10 月 26 日消息,国家知识产权局信息显示,浙江晶阳机电股份有限公司申请一项名为“一种晶体生长炉用液面保温装置、晶体生长炉及保温方法”的专利,公开号 CN 118814254 A,申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示,本发明涉及一种晶体生长炉用液面保温装置、晶体生长炉及保温方法。它包括盖板、设于所述盖板上表面的吊装接头以及设于所述盖板下表面上的保温体,所述盖板上还开设有同时贯穿所述保温体的ccd 观察口。本发明通过在水冷屏底部的投料口上设置液面保温装置来避免坩埚内硅液中心区域热量散发过快,从而提高拉晶速度并减小多圈硅芯产品的直径差,同时避免液面中心区域温度过低而发生结晶的温度,并且通过设置 ccd 观察口,不影响到正常工艺控制所需的相机拍摄视角;液面保温装置通过直插直拔的方式与水冷屏底部的冷却盘对接或分离,该动作与现有晶体生长炉内的提升机构的动作匹配,便于通过提升机构将本发明送入水冷屏底部或从中取出。


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